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Ecopia HMS-5300全自动变温霍尔效应测试仪
霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体材料电学特性*的工具。
主要型号:
1/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；
2/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；
产品组成:
1、 主机系统
恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统
2、 0.51特斯拉高温磁体包 (AHT55T3)
- 0.51特斯拉永磁体，马达控制自动移动及换向
- 高温样品台及弹簧夹头
- 温度传感器及温控仪
- 惰性气体接口及惰性气体保护腔
产品规格：
1、 主要实验参数
输入电流：1nA ~ 20mA；
电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；
载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；
迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；
磁场强度：0.51T；
样品测量板：弹簧样品板；
样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm；
高温腔温度：常温~573K (773K)；
低温腔温度：80K-350K(选配)；
磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；
2、 软件操作环境
XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下
3、 实验结果
- 体载流子浓度、表面载流子浓度；
- 迁移率；
- 霍尔系数；
- 电阻率、方块电阻；
- 磁致电阻；
- 电阻的纵横比率；
4、 仪器尺寸和重量
主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；
5、 测量材料
Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；
更多详情请咨询：http://www.shqiruikeji.com/SonList-2183291.html
https://www.chem17.com/st453789/erlist_2183291.html
原文链接：http://www.hzciic.com/chanpin/show-57301.html，转载和复制请保留此链接。
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